Paghahambing ng MOSFETs sa BJTransistors - Mga kalamangan at kahinaan

Komprehensibong tinatalakay ng post ang mga pagkakapareho at pagkakaiba ng mga mosfet at BJT at pati na rin ang kanilang partikular na kalamangan at kahinaan.

Panimula

Kapag pinag-uusapan natin ang electronics, ang isang pangalan ay lubos na nauugnay o sa karaniwan sa paksang ito at iyon ang mga transistor, mas tiyak ang BJT.

Ang electronics ay sa katunayan batay sa mga natitirang at kailangang-kailangan na kasapi, nang walang aling mga electronics ay maaaring halos tumigil sa pag-iral. Gayunpaman sa mga pagsulong sa teknolohiya, ang mga mosfet ay lumitaw bilang bagong mga pinsan ng BJTs at huli na nakuha ang gitnang yugto.

Para sa maraming mga bagong dating, ang mga mosfet ay maaaring nakalito ang mga parameter kumpara sa mga tradisyunal na BJT, dahil lamang sa pag-configure sa mga ito ay nangangailangan ng mga kritikal na hakbang na susundan, hindi sumunod sa kung saan karamihan ay humahantong sa permanenteng pinsala sa mga sangkap na ito.

Ang artikulo dito ay partikular na ipinakita sa isang pananaw upang ipaliwanag sa mga simpleng salita tungkol sa maraming pagkakapareho at pagkakaiba sa pagitan ng dalawang pinakamahalagang aktibong bahagi ng pamilyang electronics, at tungkol din sa mga kalamangan at kahinaan ng kani-kanilang mga miyembro.

Paghahambing ng mga BJT o Bipolar Transistors sa mga Mosfet

Ang lahat sa atin ay pamilyar sa mga BJT at alam na ang mga ito ay karaniwang may tatlong mga lead, ang base, ang kolektor at ang emitter.

Ang emitter ay ang exit ruta ng kasalukuyang inilalapat sa base at ang kolektor ng isang transistor.

Ang batayan ay nangangailangan ng pagkakasunud-sunod ng 0.6 hanggang 0.7V sa kabuuan nito at ang emitter para sa pagpapagana ng paglipat ng medyo mas mataas na mga boltahe at alon sa buong kolektor at emitter nito.

Kahit na ang 0.6V ay mukhang maliit, at medyo maayos, ang kasalukuyang nauugnay ay kailangang iba-iba o sa halip ay tumaas alinsunod sa pagkarga na konektado sa kolektor.

Ibig sabihin, kung ipagpalagay mong kumonekta ang isang LED na may isang resistor na 1K sa kolektor ng isang transistor, maaaring kailanganin mo lamang ng 1 o 2 miiliamp sa base para sa paggawa ng LED glow.

Gayunpaman, kung ikinonekta mo ang isang relay sa lugar ng LED, mangangailangan ka ng higit sa 30 milliamp sa base ng parehong transistor para sa pagpapatakbo nito.

Ang mga pahayag sa itaas ay malinaw na nagpapatunay na ang isang transistor ay isang kasalukuyang hinihimok na sangkap.

Hindi tulad ng sitwasyon sa itaas, ang isang mosfet ay kumilos nang buo sa kabaligtaran.

Ang paghahambing ng base sa gate ng mosfet, ang emitter sa pinagmulan, at ang kolektor na may alisan ng tubig, ang isang mosfet ay mangangailangan ng hindi bababa sa 5V sa kanyang gate at mapagkukunan para sa pagpapagana ng isang load na ganap na mailipat sa terminal ng kanal.

Ang 5 volts ay maaaring magmukhang napakalaking kumpara sa mga pangangailangan ng 0.6V ng transistor, subalit ang isang mahusay na bagay tungkol sa mga mosfet ay ang 5V na ito na gumagana nang hindi napapansin, hindi alintana ang konektadong kasalukuyang pag-load, nangangahulugang hindi mahalaga kung nakakonekta ka sa isang LED, isang relay, isang stepper motor o isang inverter transpormer, ang kasalukuyang kadahilanan sa gate ng mosfet ay nagiging impaterial at maaaring kasing liit ng ilang mga microamp.

Sinabi na, ang boltahe ay maaaring mangailangan ng ilang taas, maaaring hanggang 12V para sa mga mosfet sa kanilang mga pintuang-bayan, kung ang konektado na pagkarga ay masyadong mataas, sa pagkakasunud-sunod ng 30 hanggang 50 amps.

Ipinapakita ng mga pahayag sa itaas na ang isang mosfet ay isang sangkap na hinihimok ng boltahe.

Dahil ang boltahe ay hindi kailanman naging problema sa anumang circuit, ang pagpapatakbo ng mga mosfet ay nagiging mas simple at mahusay lalo na kapag kasangkot ang mas malalaking karga.

Mga Bipolar Transistor Pros at Cons:

1. Ang mga transistor ay mas mura at hindi nangangailangan ng mga espesyal na pansin habang hinahawakan.
2. Ang mga transistor ay maaaring patakbuhin kahit na may mga voltages na kasing baba ng 1.5V.
3. Magkaroon ng maliit na pagkakataon na mapinsala, maliban kung may isang bagay na marahas na ginawa sa mga parameter.
4. Nangangailangan ng mas mataas na mga alon para sa pag-trigger kung ang konektadong pag-load ay mas malaki, ginagawa itong kinakailangan para sa isang intermediate na yugto ng pagmamaneho, ginagawang mas kumplikado ang mga bagay.
5. Ginagawa ito ng disbentaha sa itaas na hindi angkop para sa pag-interfaced sa mga output ng CMOS o TTL nang direkta, kung sakaling ang load ng kolektor ay medyo mas mataas.
6. Magkaroon ng negatibong koepisyentong temperatura, at samakatuwid ay nangangailangan ng espesyal na pangangalaga habang kumokonekta ng mas maraming mga numero sa kahanay.

MOSFET Mga kalamangan at kahinaan:

1. Nangangailangan ng napapabayaang kasalukuyang para sa pag-trigger, anuman ang lakas ng kasalukuyang pag-load, samakatuwid ay nagiging tugma sa lahat ng mga uri ng mga mapagkukunan ng pag-input. Lalo na kapag kasangkot ang mga CMOS ICs, kaagad na 'nakikipagkamay' ang mga mosfet sa ganoong mababang kasalukuyang mga pag-input.
2. Ang mga aparatong ito ay positibong koepisyent ng temperatura, nangangahulugang mas maraming mga mosfet ang maaaring maidagdag nang kahanay nang walang takot sa isang thermal runaway na sitwasyon.
3. Ang mga Mosfet ay medyo magastos at kailangang pangasiwaan nang may pag-iingat, lalo na habang naghihinang. Dahil sensitibo ito sa static na kuryente, kinakailangan ng mga tinukoy na pag-iingat na kinakailangan.
4. Ang mga Mosfet sa pangkalahatan ay nangangailangan ng hindi bababa sa 3v para sa pag-trigger upang hindi magamit para sa mga voltages na mas mababa kaysa sa halagang ito.
5. Ito ay medyo sensitibong mga bahagi, ang maliit na kapabayaan sa pag-iingat ay maaaring humantong sa isang instant na pinsala sa bahagi.