Sa post na ito tinatalakay namin ang pamamaraan ng tamang pagpapalit ng isang BJT sa isang MOSFET, nang hindi nakakaapekto sa pangwakas na kinalabasan ng circuit.

Panimula

Hanggang sa dumating ang MOSFETs sa larangan ng electronics, transistors o BJTs na tumpak na pinasiyahan ang mga switching ng kuryente at application.

Bagaman kahit na ang Bipolar Junction Transistors (BJTs) ay hindi maaaring balewalain dahil sa napakalawak na kakayahang umangkop at mababang gastos, ang MOSFETs ay tiyak na naging sikat din hanggang sa ang paglipat ng mabibigat na karga ay nababahala at dahil sa mataas na kahusayan na nauugnay sa mga sangkap na ito.

Gayunpaman kahit na ang dalawang katapat na ito ay maaaring magkatulad sa kanilang mga pagpapaandar at istilo, ang dalawang sangkap na ito ay ganap na magkakaiba sa kanilang mga katangian at pagsasaayos.

Pagkakaiba sa Pagitan ng BJT at MOSFET

Ang pangunahing pagkakaiba sa pagitan ng isang BJT at isang MOSFET ay iyon, ang isang operasyon ng BJT ay nakasalalay sa kasalukuyang at kailangang proporsyonal na tumaas sa pag-load, samantalang ang isang mosfet ay nakasalalay sa boltahe.

Ngunit narito ang MOSFET ay nakakakuha ng isang gilid sa isang BJT, dahil ang boltahe ay madaling manipulahin at makamit sa mga kinakailangang degree nang walang labis na problema, sa kaibahan sa pagtaas ng kasalukuyang nangangahulugang mas malaki ang lakas na maihahatid, na nagreresulta sa masamang kahusayan, mas maraming pagsasaayos atbp.

Ang isa pang malaking kalamangan ng isang MOSFET laban sa BJT ay ang mataas na paglaban sa pag-input, na ginagawang posible na maisama sa anumang lohika IC nang direkta, gaano man kalaki ang karga na maaaring ilipat ng aparato. Pinapayagan din kami ng kalamangan na kumonekta sa maraming mga MOSFET nang kahanay kahit na may napakababang kasalukuyang mga input (sa mA).

Ang mga MOSFET ay karaniwang may dalawang uri, viz. pagpapahusay uri ng mode at pagkaubos uri ng mode Ang uri ng pagpapahusay ay mas madalas na ginagamit at ang laganap.

“produkto ng sums k map ”

Ang mga N-type MOSFET ay maaaring i-ON o i-aktibo sa pamamagitan ng paglalapat ng isang tinukoy na positibong boltahe sa kanilang mga pintuan habang ang mga uri ng P na MOSFET ay mangangailangan ng kabaligtaran na isang negatibong boltahe upang ma-ON.

BJT Base Resistor vs MOSFET Gate Resistor

Tulad ng ipinaliwanag sa itaas, ang isang batayang paglipat ng isang BJT ay kasalukuyang umaasa. Ibig sabihin ang kasalukuyang batayan nito ay kailangang dagdagan nang proporsyonal na may pagtaas sa kasalukuyang pagkarga ng kolektor.

Ipinapahiwatig nito na ang base risistor sa isang BJT ay may mahalagang papel at dapat na tama na kalkulahin upang matiyak na ang karga ay optimal na nakabukas SA.

Gayunpaman, ang batayang boltahe para sa isang BJT ay hindi mahalaga, dahil maaari itong maging kasing baba ng 0.6 hanggang 1 volts para sa isang kasiya-siyang paglipat ng konektadong pagkarga.

Sa MOSFET kabaligtaran lamang ito, maaari mong buksan ang mga ito sa anumang boltahe sa pagitan ng 3 V at 15 V, na may kasalukuyang kasing baba ng 1 hanggang 5 mA.

Samakatuwid, ang isang base risistor ay maaaring maging mahalaga para sa isang BJT ngunit ang isang risistor para sa gate ng MOSFET ay maaaring hindi mahalaga. Sinabi na, dapat isama ang isang resistor ng gate na mababa ang halaga, upang mapangalagaan ang aparato mula sa biglaang boltahe at mga lumipat.

Dahil ang mga voltages sa itaas ng 5 V o hanggang sa 12 V ay madaling magagamit mula sa karamihan sa mga digital at analogue IC, ang isang MOSFET gate ay maaaring mabilis na ma-interfaced sa anumang naturang mapagkukunan ng signal, anuman ang kasalukuyang pag-load.

Paano Palitan ang isang Transistor (BJT) ng isang MOSFET

Sa pangkalahatan madali nating mapapalitan ang isang BJT ng isang MOSFET, sa kondisyon na aalagaan namin ang mga nauugnay na polarities.

Para sa isang NPN BJT, maaari naming palitan ang BJT ng isang wastong tinukoy na MOSFET sa sumusunod na pamamaraan:

Alisin ang base risistor mula sa circuit dahil hindi na namin ito karaniwang kailangan sa isang MOSFET.
Direktang ikonekta ang gate ng N-MOSFET sa pinagmulan ng boltahe ng pag-aktibo.
Panatilihing konektado ang positibong supply sa isa sa mga terminal ng pag-load, at ikonekta ang ibang terminal ng pag-load sa alisan ng MOSFET.
Panghuli, ikonekta ang mapagkukunan ng MOSFET sa lupa ....... TAPOS, pinalitan mo ang BJT ng isang mosfet sa loob ng ilang minuto.

Ang pamamaraan ay mananatili sa itaas kahit para sa isang PNP BJT na mapalitan ng isang P-channel MOSFET, kakailanganin mong baligtarin lamang ang nauugnay na mga polarity ng supply.