Ipinapaliwanag ng post ang pangunahing mga detalye at pinout ng isang maliit na signal, mababang lakas na N-channel mosfet 2N7000G.

Mosfets vs BJTs

Kapag pinag-uusapan natin ang mga mosfet normal naming iniuugnay ito sa mataas na kasalukuyang, mataas na boltahe, at may mataas na mga application ng lakas.

Gayunpaman, tulad ng ordinaryong BJTs, ang mga maliliit na signal mosftes ay magagamit din na maaaring mabisa na ginamit bilang kanilang mga katapat na BJT.

Ang mga Mosfet ay popular para sa kanilang napakataas na kapangyarihan na naghahatid ng mga kakayahan ngunit mas maliit sa kanilang pangkalahatang mga sukat.

Hindi tulad ng mga BJT, ang mga mosfet ay hahawak ng malalaking alon at boltahe nang hindi mas malaki ang laki nito at hindi kasangkot ang mga intermediate na yugto ng buffer o mataas na kasalukuyang yugto ng pagmamaneho.

Kung paano ang Triggered ng Mosfet

Ang pinakamalaking bentahe ng paggamit ng isang mosfet ay iyon, maaari itong ma-trigger tulad ng ninanais para sa pagpapatakbo ng isang naibigay na pag-load anuman ang kasalukuyang drive ng gate.

“kung ano ang isang i-type d fuse ”

Pinapayagan ng tampok sa itaas ang mga mosfet na direktang mai-trigger mula sa mababang kasalukuyang mga mapagkukunan tulad ng mga output ng CMOS o TTL nang hindi kailangan ng mga yugto ng buffer, isang malaking pagkakaiba kung ihinahambing sa BJTs.

“micromake 3d moon light touch circuit board 200mah dilaw dalawahang kulay ugnay walang hanggan dimming ”

Nalalapat din ang tampok sa itaas sa maliliit na signal mosfets na maaaring direktang mapalitan para sa maliliit na signal BJT tulad ng isang BC547 para sa pagkuha ng mas mahusay na mga resulta. Ang isang maliit na datasheet ng mosfet signal, ang pagtutukoy ay tinalakay dito.

Ito ang N-channel 2N7000G mosfet, karaniwang angkop para sa maliliit na application ng signal sa saklaw na 200mA at 60V maximum.

Ang pagtutol ng estado sa kabuuan ng mga kanal at mapagkukunan ng mga terminal ay karaniwang mga 5 ohm. Ang mga tampok ng mains ng maliit na signal, mababang power mosfet ay nakalista sa ibaba:

Pangunahing Mga Tampok ng Elektrisiko:

Drain to source voltage Vdss = 60V DCGate to Source voltage Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC rurok na hindi paulit-ulit, hindi lalampas sa 50microsecondDrain kasalukuyang Id = 200mA DC tuloy-tuloy, 500mA pulsed

Kabuuang pagwawaldas ng kuryente Pd sa Tc = 250 C (junction temp) = 350 mW Ang mga pinout, at mga detalye ng package ay makikita dito: