Ang isang Schottky diode ay isang uri ng elektronikong sangkap , na kilala rin bilang isang hadlang sa diode. Malawakang ginagamit ito sa iba't ibang mga application tulad ng isang taong magaling makisama, sa mga aplikasyon ng dalas ng radyo, at bilang isang tagapagwawasto sa mga aplikasyon ng kuryente. Ito ay isang mababang boltahe na diode. Ang drop ng kuryente ay mas mababa kumpara sa Ang mga diode ng junction ng PN . Ang Schottky diode ay ipinangalan sa siyentipikong Schottky. Tinutukoy din ito minsan bilang isang hot carrier diode o hot-electron diode at kahit isang diode ng barrier sa ibabaw. Tinalakay sa artikulong ito kung ano ang isang Schottky diode, konstruksyon, aplikasyon, katangian, at kalamangan.

Ano ang isang Schottky Diode?

Ang isang Schottky diode ay kilala rin bilang isang hot diode ng carrier na ito ay a diode ng semiconductor na may napakabilis na aksyon ng paglipat, ngunit isang mababang pagbagsak ng boltahe sa pasulong. Kapag ang isang kasalukuyang dumadaloy sa pamamagitan ng diode mayroong isang maliit na boltahe na drop sa mga diode terminal. Sa isang normal na diode, ang pagbaba ng boltahe ay nasa pagitan ng 0.6 hanggang 1.7 volts, habang sa isang Schottky diode ang boltahe na drop ay karaniwang saklaw sa pagitan ng 0.15 at 0.45volts. Ang pagbaba ng boltahe na mas mababa ay nagbibigay ng mas mataas na bilis ng paglipat at mas mahusay na kahusayan ng system. Sa Schottky diode, isang semiconductor – metal junction ay nabuo sa pagitan ng isang semiconductor at isang metal, sa gayon ay lumilikha ng isang Schottky barrier. Ang N-type semiconductor ay kumikilos bilang isang cathode at ang panig na metal ay kumikilos bilang anode ng diode.

Schottky Diode

Konstruksiyon ng Schottky Diode

Ito ay isang unilateral junction. Ang isang metal-semiconductor junction ay nabuo sa isang dulo at isa pang contact ng metal-semiconductor ang nabuo sa kabilang dulo. Ito ay isang perpektong contact na Ohmic bidirectional na walang potensyal na umiiral sa pagitan ng metal at semiconductor at ito ay hindi nagwawasto. Ang built-in na potensyal sa kabuuan ng open-circuited Schottky barrier diode ay naglalarawan sa Schottky diode.

Schottky Diode Physical Structure

“ano ang kinakatawan ng sim sa sim card ”

Ang Schottky diode ay isang pagpapaandar ng pagbaba ng temperatura. Bumababa ito at tumataas ang konsentrasyon ng temperatura ng doping sa N-type semiconductor. Para sa mga layunin ng pagmamanupaktura, ang mga metal ng Schottky barrier diode tulad ng molibdenum, platinum, chromium, tungsten Aluminium, ginto, atbp., Ay ginagamit at ang ginamit na semiconductor ay N-type.

“stepper motor kung paano ito gumagana ”

Schottky Barrier Diode

Ang isang Schottky barrier diode ay kilala rin bilang Schottky o hot carrier diode. Ang isang Schottky barrier diode ay isang metal-semiconductor. Ang isang kantong ay nabuo sa pamamagitan ng pagdadala ng metal na pakikipag-ugnay sa isang katamtamang naka-doped na materyal na semiconductor na uri ng N. Ang Schottky barrier diode ay isang unidirectional device na nagsasagawa ng kasalukuyang daloy lamang sa isang direksyon (Maginoo na kasalukuyang daloy mula sa metal patungo sa semiconductor)

Schottky Barrier Diode

Mga Katangian V-I Ng Schottky Barrier Diode

Ang mga katangian ng V-I ng isang Schottky barrier diode ay nasa ibaba

Mga Katangian V-I

Ang pasulong na pagbagsak ng boltahe ng Schottky barrier diode ay napakababa kumpara sa isang normal na PN junction diode.
Ang pagbaba ng boltahe ng pasulong ay mula sa 0.3 volts hanggang 0.5 volts.
Ang pasulong na pagbagsak ng boltahe ng hadlang ng Schottky ay binubuo ng silikon.
Ang pagbaba ng boltahe sa unahan ay nagdaragdag ng sabay na pagtaas ng konsentrasyon ng doping ng N-type semiconductor.
Ang mga katangian ng V-I ng isang Schottky barrier diode ay mas matarik kumpara sa mga katangian ng V-I ng normal na PN junction diode dahil sa mataas na konsentrasyon ng mga kasalukuyang tagadala.

Mga Kasalukuyang Mga Bahagi sa Schottky Diode

Ang Schottky barrier diode kasalukuyang kondisyon ay sa pamamagitan ng karamihan sa mga carrier, na mga electron sa isang N-type semiconductor. Ang pormula sa Schottky barrier diode ay

Ako_T= Ako_Pagsasabog+ Ako_Tunneling+ Ako_{Thermionic emission}

Kung saan Ako _Pagsasabogay kasalukuyang pagsasabog dahil sa gradient ng konsentrasyon at kasalukuyang density ng pagsasabog J _n= D _n* Ano * dn / dx para sa mga electron, kung saan D _nay ang pagsasabog ng pare-pareho ng mga electron, ang q ay elektronikong singil = 1.6 * 10 ¹⁹coulombs, dn / dx ay isang gradient ng konsentrasyon para sa mga electron.
Ang ITunneling ay ang kasalukuyang tunneling dahil sa quantum mechanical tunneling sa pamamagitan ng hadlang. Ang posibilidad ng tunneling ay tataas sa pagbawas ng hadlang o built-in na potensyal at pagbawas sa lapad ng layer ng pag-ubos. Ang kasalukuyang ito ay direktang proporsyonal sa posibilidad ng tunneling.
Ako _{Thermionic emission}ay isang kasalukuyang dahil sa kasalukuyang thermionic emission. Dahil sa thermal agitation, ang ilang mga carrier ay may pantay na enerhiya sa o mas malaki kaysa sa enerhiya ng conduction band sa metal-semiconductor interface, at sa kasalukuyang daloy. Ito ay kilala bilang kasalukuyang thermionic emission.
Dahil ang kasalukuyang dumadaloy nang direkta sa pamamagitan ng Schottky barrier diode ay sa pamamagitan ng mga carrier ng singil ng karamihan. Samakatuwid, ito ay angkop para sa mga application ng paglipat ng mabilis na bilis dahil ang pasulong na boltahe ay napakababa at ang pabalik na oras ng paggaling ay napakaikli.

Mga Aplikasyon Ng Schottky Diode

Ang mga Schottky diode ay ginagamit para sa aplikasyon ng boltahe na clamping at pag-iwas sa saturation ng transistor dahil sa mataas na kasalukuyang density sa Schottky diode. Ito rin ay isang mababang pagbagsak ng boltahe sa Schottky diode, nasayang ito sa mas kaunting init, ginagawa silang mahusay na pagpipilian para sa mga application na sensitibo at napakahusay. Dahil sa Schottky diode na ginamit sa mga nag-iisang photovoltaic system upang maiwasan ang mga baterya mula sa paglabas ng layunin para sa solar panel sa gabi pati na rin sa mga system na konektado sa grid, na naglalaman ng maraming mga string ay konektado sa parallel na koneksyon. Ang mga Schottky diode ay ginagamit din bilang mga rectifier sa mga supply ng kuryente .

Mga kalamangan Ng Schottky Diode

Ang mga Schottky diode ay ginagamit sa maraming mga aplikasyon kumpara sa iba pang mga uri ng diode s na hindi gumanap nang maayos.

Mababang boltahe ng turn-on: Ang boltahe ng turn-on para sa diode ay nasa pagitan ng 0.2 at 0.3 volts. Para sa isang silicon diode, laban ito sa 0.6 hanggang 0.7 volts mula sa isang karaniwang silicon diode.
Mabilis na oras ng pag-recover: Ang isang mabilis na oras sa pag-recover ay nangangahulugang isang maliit na halaga ng nakaimbak na singil na maaaring magamit para sa mga application ng paglipat ng mabilis na bilis.
Mababang kapasidad sa kantong: Sumasakop ito sa isang napakaliit na lugar, matapos ang resulta na nakuha mula sa contact ng wire point ng silikon. Dahil ang mga antas ng capacitance ay napakaliit.

Mga Tampok Ng Schottky Diode

Pangunahing isinasama sa mga tampok ng Schottky diode ang mga sumusunod

Mas mataas na kahusayan
Mababang pagbagsak ng boltahe sa unahan
Mababang kapasidad
Mababang profile sa ibabaw-mount na pakete, napakaliit
Pinagsamang ring ng bantay para sa proteksyon ng stress

Sa gayon, ito ay tungkol sa Paggawa ng Schottky Diode at ang prinsipyong gumagana at aplikasyon nito. Inaasahan namin na nakakuha ka ng mas mahusay na pag-unawa sa konseptong ito. Bukod dito, para sa anumang pag-aalinlangan tungkol sa artikulong ito o mga proyektong elektrikal at electronics , mangyaring ibigay ang iyong mahahalagang mungkahi sa seksyon ng komento sa ibaba. Narito ang isang katanungan para sa iyo, ano ang pangunahing pag-andar ng isang Schottky diode?